第181章 177全新内存技术和芯片叠加

第181章  177全新内存技术和芯片叠加

        “我刚刚送她们去机场回来，待会我的链接发给你吧。”小王同志说完便挂断电话。

        【狂莽人生：走了也不告诉我？】

        等了三分钟对方并没有回任何的信息。

        “滴滴滴~”

        正当曹莽准备回休息室换衣服的时候却收到另外一个人的信息。

        对方让他在工业园等着。

        今晚对方想试试靠在落地玻璃窗上做那种事的感觉。

        看到这条信息曹莽无奈摇摇头。

        看来对方人菜瘾大啊。

        曹莽换衣服前给李宇靖发了条信息让他去找代工厂的麻烦。

        既然大家都已经签合约了。

        泄露信息该赔偿的还是要赔偿的。

        华夏安卓联盟聊天群。

        雷布斯：“关于网上曝光的深蓝新机型大家有什么看法？”

        沈韦：“从设计上来看确实很像深蓝的设计，但是觉得事情没有那么简单。”

        陈勇明：“这事还是等深蓝发话吧，我也觉得这件事没那么简单。”

        两人都觉得曹莽应该是藏了一手后手在什么地方。

        如果深蓝的新机就这样的话。

        曹莽根本没必要对外说领先二十年以上。

        曹莽这边从休息室回到前厅办公室后发了一条微博。

        “关于网上转发的那个手机确实是深蓝科技即将发布的手机。

        对于新机发布前会被盗的事情我这边早就预料到了。

        毕竟有钱能使鬼推磨。

        所以我就小小地留了一手，把关键性的东西给隐藏了。

        至于新款的深蓝手机会是怎么样的。

        等到发布会那天大家就知道了。

        我相信深蓝1号的新产品一定会让大家满意的。”

        曹莽发完微博后查看一下系统面板。

        【宿主：曹莽】

        【声望值：六点七亿（以亿作为整数四舍五入）】

        这次的深蓝手机泄露对于曹莽来说是个好事情，因为这一次泄露让他获得不少的声望。

        这件事可不但引起国内的网友关注，还引起国外无数关心深蓝的网友们关注。

        这让曹莽又获得将近三个亿的声望。

        曹莽在系统商城上购买了两种三种产品。

        第一种产品就是HMBSR内存技术，HMBSR是HBM内存技术的进化版。

        HBM(High  Bandwidth  Memory)作为一种GPU显存存在时，现在似乎已经不算罕见了。

        很多人可能都知道HBM成本高昂，所以即便不罕见，也只能在高端产品上见到它。

        HBM的特点之一，也是以相比DDR/GDDR更小的尺寸、更高的效率(部分)实现更高的传输带宽。

        从传输位宽的角度来看，每层DRAM  die是2个128bit通道，4层DRAM  die高度的HBM内存总共就是1024bit位宽。

        很多GPU、CPU周围都有4片这样的HBM内存，则总共位宽就是4096bit。

        由此可见HBM在带宽上具有着超高的吞吐量。

        这样内存要是用在手机上一定会给客户带来更好的效率。

        只是为什么没有人把它用在手机上？

        那是不是因为贵，所以才没有下放到消费级市场呢?

        就算HBM内存再贵也不可能贵到哪里去，几百块的成本消费者都是承受得起的。

        消费者：我们是缺那几百块的人吗？

        实际上并不是的。

        这其中有三个问题在里面。

        第一个就是成本问题，虽然这个是小问题，但是厂家们不得不重视这个问题。

        第二个问题技术手机cpu根本用不到这么高带宽的内存。

        第三个问题就是HBM内存的延迟实在是太高了。

        就因为这三个因素厂家们不得不放弃HBM内存。

        曹莽所购买的HMBSR内存采用全新的设计，解决了HBM内存当前所有的问题。

        更低廉的制造成本，更低的读取写入延迟。

        曹莽购买的第二件产品就是kos存储内存技术。

        目前市面上采用的都是emmc和usf这两种内存。

        eMMC目前是最当红的便携移动产品解决方案，目的在于简化终端产品存储器的设计。

        由于NAND  Flash芯片的不同厂牌包括三星、东芝或海力士、镁光等，但设计厂商在导入时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有1个技术能够通用所有厂牌的NAND  Flash芯片。

        这样内存唯一的优势就是便宜，它的缺点就是读写效率比较低。

        这种内存目前为止最高读取效率为400mb/s，写入效率是70mb/s。（特指2015年。）

        usf内存是2011年电子设备工程联合委员会，发布了第一代通用闪存存储标准，即UFS  2.0的前身。

        不过第一代的UFS并不受欢迎，也没有对eMMC标准产生明显的影响。

        到了2013年，JEDEC在当年9月发布了UFS  2.0的新一代闪存存储标准。

        UFS  2.0闪存读写速度理论上可以达到1400MB/s，不仅比eMMC有更巨大的优势，而且它甚至能够让电脑上使用的SSD也相形见绌。

        于是后来逐渐在高端设备市场上取代eMMC，成为移动设备的主流标配。

        而实际上，UFS  2.0共有两个版本，其中一个是HS-G2，也就是目前的UFS  2.0。

        然而，另个一个版本则为HS-G3，可以称为UFS  2.1，其数据读取速度将飙至1.5G/s，也就是UFS  2.0的两倍。

        kos存储内存最好的读写效率可以达到30G/s，而且它还拥有更高的寿命和容量。

        （效率视设计而定，曹莽购买的是第一代kos内存技术，第一代技术读写效率5.0g/s）

        曹莽购买的最后一项技术就是芯片叠加技术。

        这一项技术其实并不是什么先进的技术。

        并不是只有华威一家研究过这一项技术，早在五六年前英特尔和amd就拥有这项技术了。

        只是这两家通过叠加生产出来的cpu由于功耗过高不得不放弃这一种技术。

        曹莽所购买的芯片叠加技术能够解决功耗过高的问题吗？

        可能说能也可以说不能。

        因为能量恒守是不可改变的事情，两颗芯片叠加它的功耗注定会增加。

        曹莽所购买的技术只是降低了一部分芯片叠加后的功耗而已。

        这技术降低了大概48%左右的功耗。

        有了这项技术14纳米击败7纳米不是什么大问题。

        唯一的缺点就是功耗。

        对于这个问题曹莽的解决方法就是堆电池。

        大幅度增加电池的容量。

        对比研发光刻机增加电池容量简单许多。

        这也是解决芯片封禁最简单最快速的处理方法。

        而且也是成本最低的解决方法。


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